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NTR3C21NZT1G  与  IRLML6244TRPBF  区别

型号 NTR3C21NZT1G IRLML6244TRPBF
唯样编号 A36-NTR3C21NZT1G A-IRLML6244TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 20 V 3.6A(Ta) 470mW(Ta) SOT-23-3(TO-236) Single N-Channel 20 V 1.3 W 8.9 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 21mΩ@6.3A,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 1.3W(Ta)
栅极电压Vgs - ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 6.3A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 16V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 700pF @ 16V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 700pF @ 16V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.9nC @ 4.5V
库存与单价
库存 1,610 3,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
40+ :  ¥1.551
100+ :  ¥1.243
750+ :  ¥1.111
1,500+ :  ¥1.0439
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR3C21NZT1G ON Semiconductor  数据手册 未分类

¥1.551 

阶梯数 价格
40: ¥1.551
100: ¥1.243
750: ¥1.111
1,500: ¥1.0439
1,610 当前型号
AO3416 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 6.5A 1.4W 22mΩ@6.5A,4.5V -55°C~150°C

¥0.6006 

阶梯数 价格
90: ¥0.6006
200: ¥0.4888
1,500: ¥0.4446
3,000: ¥0.416
75,185 对比
DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 610mW(Ta) ±12V SC-59-3 -55℃~150℃(TJ) 20V 6.9A(Ta)

¥0.8261 

阶梯数 价格
70: ¥0.8261
200: ¥0.5698
6,391 对比
IRLML6244TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 21mΩ@6.3A,4.5V N-Channel 20V 6.3A Micro3™/SOT-23

暂无价格 3,000 对比
DMG3414UQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 780mW ±8V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 20V 4.2A(Ta) 车规

¥0.8261 

阶梯数 价格
70: ¥0.8261
200: ¥0.5698
2,807 对比
AO3420 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 20V ±12V 6A 1.4W 24mΩ@6A,10V -55°C~150°C

¥0.641 

阶梯数 价格
1: ¥0.641
100: ¥0.5102
1,000: ¥0.3676
1,500: ¥0.3165
3,000: ¥0.25
2,689 对比

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