NTR2101PT1G 与 SI2305B-TP 区别
| 型号 | NTR2101PT1G | SI2305B-TP | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-NTR2101PT1G | A3-SI2305B-TP | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | MCC | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||
| 描述 | Single P-Channel 8 V 120 mOhm 15 nC 0.96 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 52m Ohms@3.5A,4.5V | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 8V | - | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 960mW(Ta) | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±8V | - | ||||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | 3.7A | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1173pF @ 4V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 4.5V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,645 | 3,000 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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NTR2101PT1G | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±8V 960mW(Ta) 52m Ohms@3.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 8V 3.7A |
￥0.6006
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1,645 | 当前型号 | |||||||||||
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SI2305B-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
￥0.3614
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6,000 | 对比 | ||||||||||
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SI2305B-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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AO3415 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -20V ±8V -4A 1.5W 41mΩ@-4A,-4.5V -55°C~150°C |
暂无价格 | 1,828 | 对比 | ||||||||||
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DMP2305U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 1.4W 60mΩ 20V 500mV P-Channel |
￥0.3458
|
643 | 对比 | ||||||||||
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PMV65XP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 P-Channel 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A |
暂无价格 | 378 | 对比 |
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