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NTR0202PLT1G  与  IRLML5103TRPBF  区别

型号 NTR0202PLT1G IRLML5103TRPBF
唯样编号 A36-NTR0202PLT1G A-IRLML5103TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 表面贴装型 P 通道 20 V 400mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236) Single P-Channel 30 V 1 Ohm 5.1 nC 540 W Generation V SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 600mΩ@600mA,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 540mW(Ta)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 0.76A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 75pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.1nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 75pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.1nC @ 10V
库存与单价
库存 2,940 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
90+ :  ¥0.5566
200+ :  ¥0.4251
1,500+ :  ¥0.3705
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR0202PLT1G ON Semiconductor  数据手册 未分类

¥0.5566 

阶梯数 价格
90: ¥0.5566
200: ¥0.4251
1,500: ¥0.3705
2,940 当前型号
DMP2004K-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 550mW(Ta) 900mΩ@430mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 0.6A

¥0.3627 

阶梯数 价格
140: ¥0.3627
200: ¥0.27
1,500: ¥0.2355
3,000: ¥0.2085
7,124 对比
FDV304P ON Semiconductor 小信号MOSFET

±8V 350mW(Ta) 1.1 Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 25V 0.46A 460mA(Ta) 1.1 欧姆 @ 500mA,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.4147 

阶梯数 价格
130: ¥0.4147
200: ¥0.2678
3,000: ¥0.237
6,834 对比
BSH201,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH201_SOT23 P-Channel 0.417W -0.3A

¥0.8964 

阶梯数 价格
560: ¥0.8964
1,000: ¥0.7004
1,500: ¥0.5741
3,000: ¥0.4992
0 对比
BSH201,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH201_SOT23 P-Channel 0.417W -0.3A

暂无价格 0 对比
IRLML5103TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 600mΩ@600mA,10V P-Channel 30V 0.76A Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比

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