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NTMFS5C670NLT1G  与  SIR664DP-T1-GE3  区别

型号 NTMFS5C670NLT1G SIR664DP-T1-GE3
唯样编号 A36-NTMFS5C670NLT1G A-SIR664DP-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6mΩ
上升时间 - 12ns
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 50W
Qg-栅极电荷 - 26nC
栅极电压Vgs - 1.3V
典型关闭延迟时间 - 24ns
正向跨导 - 最小值 - 70S
封装/外壳 5-DFN(5x6)(8-SOFL) PowerPAK-SO-8
连续漏极电流Id - 60A
工作温度 - -55°C~150°C
系列 - SIR
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
下降时间 - 7ns
典型接通延迟时间 - 10ns
库存与单价
库存 6 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTMFS5C670NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

暂无价格 6 当前型号
NTMFS5C670NLT3G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

暂无价格 0 对比
NVMFS5C670NLT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规

暂无价格 0 对比
NVMFS5C670NLT3G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规

暂无价格 0 对比
SIR664DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

60A 50W 6mΩ 60V 1.3V PowerPAK-SO-8 -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
SIR664DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

60A 50W 6mΩ 60V 1.3V PowerPAK-SO-8 -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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