NTJD4152PT1G 与 FDG6316P 区别
| 型号 | NTJD4152PT1G | FDG6316P | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-NTJD4152PT1G | A3t-FDG6316P | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 | MOSFET | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 宽度 | - | 1.25mm | ||
| 功率 | - | 3/10W | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 260mΩ@880mA,4.5V | 650 m0hms | ||
| 零件号别名 | - | FDG6316P_NL | ||
| 正向跨导-最小值 | - | 2.5 S | ||
| 上升时间 | - | 13 ns | ||
| 引脚数目 | - | 6 | ||
| 最小栅阈值电压 | - | 0.4V | ||
| 栅极电压Vgs | ±12V | -8 V、+8 V | ||
| 封装/外壳 | SOT-363 | 2.0*1.25*1.0mm | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | -0.88A | 700 mA | ||
| 配置 | - | Dual | ||
| 长度 | - | 2.00mm | ||
| 最低工作温度 | - | -55 °C | ||
| 每片芯片元件数目 | - | 2 | ||
| 最高工作温度 | - | +150 °C | ||
| 高度 | - | 1mm | ||
| 类别 | - | 功率 MOSFET | ||
| 典型关断延迟时间 | - | 8 ns | ||
| 漏源极电压Vds | -20V | 146 pF @ -6 V | ||
| 晶体管材料 | - | Si | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 272mW | 300mW | ||
| 晶体管配置 | - | 隔离式 | ||
| 典型关闭延迟时间 | - | 8 ns | ||
| FET类型 | P-Channel | 增强 | ||
| 系列 | - | PowerTrench | ||
| 通道数量 | - | 2 Channel | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 146pF @ 6V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2.4nC @ 4.5V | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 5 ns | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 84 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A |
￥0.6633
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84 | 当前型号 | ||||||||
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DMP2004DWK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
900mΩ@430mA,4.5V 250mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 P-Channel 20V 0.43A |
￥0.6369
|
2,037 | 对比 | ||||||||
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FDG6316P | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
8V 270mΩ@700mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 P-Channel 12V 0.7A 700 mA 12 V 650 m0hms -8 V、+8 V SOT-363 (SC-70) 增强 2.0*1.25*1.0mm 146 pF @ -6 V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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DMP2004DWK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
900mΩ@430mA,4.5V 250mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 P-Channel 20V 0.43A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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PMDT670UPE,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT666 P-Channel 0.33W 150°C 8V,-0.8V -20V -0.55A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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SI1967DH-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.25W -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 P-Channel 20V 1.3A 490mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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