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NTJD4152PT1G  与  PMDT670UPE,115  区别

型号 NTJD4152PT1G PMDT670UPE,115
唯样编号 A36-NTJD4152PT1G A36-PMDT670UPE,115
制造商 ON Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-363 SOT666
工作温度 -55℃~150℃ 150℃
连续漏极电流Id -0.88A -0.55A
Rds On(Max)@Id,Vgs 260mΩ@880mA,4.5V -
漏源极电压Vds -20V -20V
输入电容 - 58pF
Pd-功率耗散(Max) 272mW 0.33W
Rds On(max)@Id,Vgs - 1500mΩ@2.5V,850mΩ@4.5V
输出电容 - 21pF
栅极电压Vgs ±12V 8V,-0.8V
FET类型 P-Channel P-Channel
库存与单价
库存 1,878 0
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
50+ :  ¥1.0967
200+ :  ¥0.8426
1,500+ :  ¥0.7337
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTJD4152PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55℃~150℃ ±12V -20V -0.88A

¥1.0967 

阶梯数 价格
50: ¥1.0967
200: ¥0.8426
1,500: ¥0.7337
1,878 当前型号
DMP2004DWK-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

900mΩ@430mA,4.5V 250mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 P-Channel 20V 0.43A

¥0.6369 

阶梯数 价格
80: ¥0.6369
200: ¥0.5187
1,500: ¥0.4719
3,000: ¥0.4407
5,435 对比
FDG6316P ON Semiconductor 小信号MOSFET

8V 270mΩ@700mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 P-Channel 12V 0.7A 700 mA 12 V 650 m0hms -8 V、+8 V SOT-363 (SC-70) 增强 2.0*1.25*1.0mm 146 pF @ -6 V

暂无价格 0 对比
PMDT670UPE,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMDT670UPE_SOT666 P-Channel 0.33W 150℃ 8V,-0.8V -20V -0.55A

暂无价格 0 对比
FDG6316P ON Semiconductor 小信号MOSFET

8V 270mΩ@700mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 P-Channel 12V 0.7A 700 mA 12 V 650 m0hms -8 V、+8 V SOT-363 (SC-70) 增强 2.0*1.25*1.0mm 146 pF @ -6 V

暂无价格 0 对比
DMP2004DWK-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

900mΩ@430mA,4.5V 250mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 P-Channel 20V 0.43A

暂无价格 0 对比

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