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NTJD4001NT1G  与  QS6K1TR  区别

型号 NTJD4001NT1G QS6K1TR
唯样编号 A36-NTJD4001NT1G A36-QS6K1TR
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel + N-Channel 1.25 W 30 V 364 mOhm 2.4 nC SMT 2.5 V Drive MosFet -TSMT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-363 TSMT
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 1A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 238mΩ@1A,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 77pF @ 10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.25W
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.4nC @ 4.5V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 2,309 9,521
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
90+ :  ¥0.5984
200+ :  ¥0.4563
1,500+ :  ¥0.3965
60+ :  ¥0.9009
200+ :  ¥0.6215
1,500+ :  ¥0.5654
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTJD4001NT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-363

¥0.5984 

阶梯数 价格
90: ¥0.5984
200: ¥0.4563
1,500: ¥0.3965
2,309 当前型号
UM6K1NTN ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 100mA 8Ω@10mA,4V 150mW 150°C(TJ) UMT N-Channel 30V 0.1A ±20V

¥0.5603 

阶梯数 价格
90: ¥0.5603
200: ¥0.3601
1,500: ¥0.3133
3,000: ¥0.2782
31,150 对比
QS6K1TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A

¥0.9009 

阶梯数 价格
60: ¥0.9009
200: ¥0.6215
1,500: ¥0.5654
9,521 对比
QS6K1TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A

¥4.6927 

阶梯数 价格
1: ¥4.6927
100: ¥2.7124
1,500: ¥1.7197
3,000: ¥1.2433
4,458 对比
FDG6301N ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 220mA 4 Ohms@220mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 SC-70 N-Channel 25V 0.22A SC-88(SC-70-6)

暂无价格 2,330 对比
UM6K1NTN ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 100mA 8Ω@10mA,4V 150mW 150°C(TJ) UMT N-Channel 30V 0.1A ±20V

暂无价格 2,040 对比

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