NTHD4102PT1G 与 SI5935CDC-T1-GE3 区别
| 型号 | NTHD4102PT1G | SI5935CDC-T1-GE3 | ||||||
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| 唯样编号 | A36-NTHD4102PT1G | A3t-SI5935CDC-T1-GE3 | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | Dual P-Channel 20 V 64 mOhm 1.1 W Surface Mount Power MOSFET - CASE 1206A | Dual P-Channel 20 V 100 mO 11 nC Surface Mount Mosfet - 1206-8 ChipFET | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | SMD-8P | ChipFET-8 | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 3.1A | ||||||
| 系列 | - | TrenchFET® | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 100mΩ | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 455pF @ 10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3.1W | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC @ 5V | ||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,469 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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NTHD4102PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SMD-8P |
￥3.707
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1,469 | 当前型号 | ||||||||
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AON4803 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x2 P-Channel -20V ±8V -3.4A 1.7W 90mΩ@-3.4A,-4.5V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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SI5935CDC-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.1W -55°C~150°C(TJ) ChipFET-8 P-Channel 20V 3.1A 100mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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SI5935CDC-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.1W -55°C~150°C(TJ) ChipFET-8 P-Channel 20V 3.1A 100mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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