NTGS4141NT1G 与 DMN3026LVT-7 区别
| 型号 | NTGS4141NT1G | DMN3026LVT-7 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-NTGS4141NT1G | A36-DMN3026LVT-7 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT23-6 | TSOT-23-6 | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 6.6A(Ta) | ||||||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.2W(Ta) | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 23mΩ@6.5A,10V | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 643 pF @ 15 V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 12.5 nC @ 10 V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 629 | 2,637 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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NTGS4141NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT23-6 |
￥1.551
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629 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.2W(Ta) ±20V TSOT-23-6 -55°C~150°C(TJ) 30V 6.6A(Ta) |
￥0.8063
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2,637 | 对比 | ||||||||||
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DMG6402LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 6A 1.75W 30mΩ 30V 1.5V |
￥0.6655
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2,434 | 对比 | ||||||||||
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RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 30V 2A(Ta) ±20V 600mW(Ta) 134mΩ@2A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 |
￥1.0829
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2,275 | 对比 | ||||||||||
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RTQ035N03TR | ROHM Semiconductor | 通用MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 54m Ohms@3.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 3.5A |
￥0.8851
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1,100 | 对比 | |||||||||||
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RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1.25W(Ta) 125mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 N-Channel 30V 2A(Ta) |
￥2.4244
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983 | 对比 |
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