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NTGS4111PT1G  与  NTGS4111PT1  区别

型号 NTGS4111PT1G NTGS4111PT1
唯样编号 A36-NTGS4111PT1G A32-NTGS4111PT1
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 630mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 60 毫欧 @ 3.7A,10V
漏源极电压Vds - 30V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 - SOT-23-6
连续漏极电流Id - 2.6A(Ta)
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 15V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 750pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC
库存与单价
库存 255 20
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
30+ :  ¥1.705
100+ :  ¥1.32
1+ :  ¥0.2148
2+ :  ¥0.1974
4+ :  ¥0.1815
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTGS4111PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

¥1.705 

阶梯数 价格
30: ¥1.705
100: ¥1.32
255 当前型号
DMP3056LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.25W(Ta) 45mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 P-Channel 30V 4.3A

¥0.7139 

阶梯数 价格
80: ¥0.7139
200: ¥0.5811
1,456 对比
NTGS4111PT1 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 30V 2.6A(Ta) ±20V 60 毫欧 @ 3.7A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOT-23-6

¥0.2148 

阶梯数 价格
1: ¥0.2148
2: ¥0.1974
4: ¥0.1815
20 对比
RSQ035P03TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 TSMT6(SC-95)

暂无价格 0 对比
FDC610PZ ON Semiconductor 通用MOSFET

4.9A(Ta) ±25V 1.6W(Ta) 42m Ohms@4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT P-Channel 30V 4.9A 42 毫欧 @ 4.9A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

暂无价格 0 对比
TPC6110(TE85L,F,M) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8) 150°C(TJ) 30 V 4.5A(Ta)

暂无价格 0 对比

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