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NTGS4111PT1G  与  FDC610PZ  区别

型号 NTGS4111PT1G FDC610PZ
唯样编号 A36-NTGS4111PT1G A-FDC610PZ
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 P-Channel 30 V 42 mOhm 24 nC SMT PowerTrench Mosfet - SSOT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 1.6W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 42 毫欧 @ 4.9A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.6W(Ta)
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 - SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
连续漏极电流Id - 4.9A
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1005pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1005pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 10V
库存与单价
库存 255 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.705
100+ :  ¥1.32
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTGS4111PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

¥1.705 

阶梯数 价格
30: ¥1.705
100: ¥1.32
255 当前型号
DMP3056LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.25W(Ta) 45mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 P-Channel 30V 4.3A

¥0.7139 

阶梯数 价格
80: ¥0.7139
200: ¥0.5811
1,456 对比
NTGS4111PT1 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 30V 2.6A(Ta) ±20V 60 毫欧 @ 3.7A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOT-23-6

¥0.2148 

阶梯数 价格
1: ¥0.2148
2: ¥0.1974
4: ¥0.1815
20 对比
RSQ035P03TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 TSMT6(SC-95)

暂无价格 0 对比
FDC610PZ ON Semiconductor 通用MOSFET

4.9A(Ta) ±25V 1.6W(Ta) 42m Ohms@4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT P-Channel 30V 4.9A 42 毫欧 @ 4.9A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

暂无价格 0 对比
TPC6110(TE85L,F,M) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8) 150°C(TJ) 30 V 4.5A(Ta)

暂无价格 0 对比

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