NTF3055-100T1G 与 ZVN2106GTA 区别
| 型号 | NTF3055-100T1G | ZVN2106GTA | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-NTF3055-100T1G | A36-ZVN2106GTA | ||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率 | 1.3W(Ta) | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-223 | SOT-223 | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 3A | - | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 455pF @ 25V | - | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22nC @ 10V | - | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 110 毫欧 @ 1.5A,10V | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 1,000 | 3,001 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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NTF3055-100T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 110 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C~175°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 3A |
￥2.7
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1,000 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||
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NDT3055 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
4A(Ta) ±20V 3W(Ta) 100m Ohms@4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4A N-Channel 60V 100 毫欧 @ 4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4 A 180 m0hms -20 V、+20 V 增强 250 pF @ 30 V SOT-223-4 |
￥2.856
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3,999 | 对比 | |||||||||||
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ZVN2106GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223 |
￥7.332
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3,001 | 对比 | ||||||||||
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DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
￥1.668
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198 | 对比 | ||||||||||
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ZXMS6006SGTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-223 |
￥6.264
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135 | 对比 |
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