NTD3055-150T4G
与
SIHLR024TR-GE3
区别
| 型号 |
NTD3055-150T4G
|
SIHLR024TR-GE3
|
| 唯样编号 |
A36-NTD3055-150T4G
|
A3t-SIHLR024TR-GE3
|
| 制造商 |
ON Semiconductor
|
Vishay
|
| 供应商 |
唯样自营 |
唯样自营 |
| 分类 |
未分类
|
未分类
|
| 描述 |
|
Vishay Si N沟道 MOSFET SIHLR024TR-GE3, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 |
| 数据表 |
|
|
| RoHs |
无铅/符合RoHs |
无铅/符合RoHs |
| 规格信息 |
| 功率 |
1.5W(Ta),28.8W(Tj) |
42W |
| 宽度 |
- |
6.22mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs |
150 毫欧 @ 4.5A,10V |
140 m0hms |
| 引脚数目 |
- |
3 |
| 最小栅阈值电压 |
- |
1V |
| 栅极电压Vgs |
±20V |
-10 V、+10 V |
| 封装/外壳 |
DPAK |
6.73*6.22*2.38mm |
| 连续漏极电流Id |
9A |
14 A |
| 工作温度 |
-55°C~175°C(TJ) |
- |
| 长度 |
- |
6.73mm |
| 最低工作温度 |
- |
-55 °C |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） |
10V |
- |
| 每片芯片元件数目 |
- |
1 Ohms |
| 最高工作温度 |
- |
+150 °C |
| 高度 |
- |
2.38mm |
| 类别 |
- |
功率 MOSFET |
| 典型关断延迟时间 |
- |
23 ns |
| 漏源极电压Vds |
60V |
870 pF@ 25 V |
| 晶体管材料 |
- |
Si |
| 晶体管配置 |
- |
单 |
| FET类型 |
N-Channel |
增强 |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） |
4V @ 250µA |
- |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） |
280pF @ 25V |
- |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） |
15nC @ 10V |
- |
| 典型接通延迟时间 |
- |
11 ns |
| 库存与单价 |
| 库存 |
5,000 |
0 |
| 工厂交货期 |
3 - 15天 |
56 - 70天 |
| 单价（含税） |
| 20+ : |
￥2.684 |
| 100+ : |
￥2.068 |
| 1,250+ : |
￥1.804 |
| 2,500+ : |
￥1.716 |
|
暂无价格
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| 购买数量 |
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点击询价
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