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NTA4001NT1G  与  DMN26D0UT-7  区别

型号 NTA4001NT1G DMN26D0UT-7
唯样编号 A36-NTA4001NT1G A-DMN26D0UT-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 20 V 3 Ohm SMT Enhancement Mode Mosfet - SOT-523
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - SOT-523
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 0.23A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3Ω@100mA,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 14.1pF @ 15V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 300mW(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.2V,4.5V
栅极电压Vgs - ±10V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTA4001NT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

暂无价格 0 当前型号
DMN26D0UT-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±10V 300mW(Ta) 3Ω@100mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-523 N-Channel 20V 0.23A

¥0.6655 

阶梯数 价格
80: ¥0.6655
200: ¥0.2613
1,500: ¥0.1905
3,000: ¥0.15
139,446 对比
DMN26D0UT-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±10V 300mW(Ta) 3Ω@100mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-523 N-Channel 20V 0.23A

暂无价格 0 对比
DMN26D0UT-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±10V 300mW(Ta) 3Ω@100mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-523 N-Channel 20V 0.23A

暂无价格 0 对比

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