NDT3055L 与 IRLL2705PBF 区别
| 型号 | NDT3055L | IRLL2705PBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-NDT3055L-2 | A-IRLL2705PBF | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 60 V 4A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4 | Single N-Channel 55 V 2.1 W 32 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223-3 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | - | 1W(Ta) | ||
| 漏源极电压Vds | - | 55V | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±16V | ||
| FET类型 | - | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | SOT-223 | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | - | 5.2A | ||
| 系列 | - | HEXFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 870pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 48nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4V,10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 870pF @ 25V | ||
| 导通电阻Rds(On) | - | 40mΩ@3.8A,10V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 48nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 44 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDT3055L | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-261-4,TO-261AA |
￥2.2227
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44 | 当前型号 | ||||
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ZXMN6A11GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||
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ZXMN6A11GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223 |
暂无价格 | 11 | 对比 | ||||
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IRLL2705PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 40mΩ@3.8A,10V N-Channel 55V 5.2A SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
BSP318S H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
60V 2.6A 90mΩ 10V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规 PG-SOT223-4 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
ZXMN6A11GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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