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NDT3055L  与  ZXMN6A11GTA  区别

型号 NDT3055L ZXMN6A11GTA
唯样编号 A36-NDT3055L-1 A36-ZXMN6A11GTA
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 60 V 4A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4 ZXMN6A11G Series 60 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 120mΩ@2.5A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2W(Ta)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA SOT-223
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 4.4A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 330pF @ 40V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.7nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 10,343 1,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥3.124
100+ :  ¥2.596
1,000+ :  ¥2.409
2,000+ :  ¥2.299
4,000+ :  ¥2.2
30+ :  ¥2.123
50+ :  ¥1.639
1,000+ :  ¥1.518
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NDT3055L ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-261-4,TO-261AA

¥3.124 

阶梯数 价格
20: ¥3.124
100: ¥2.596
1,000: ¥2.409
2,000: ¥2.299
4,000: ¥2.2
10,343 当前型号
ZXMN6A11GTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 120mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4.4A

¥2.123 

阶梯数 价格
30: ¥2.123
50: ¥1.639
1,000: ¥1.518
1,000 对比
ZVN4306GVTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 3W(Ta) 330mΩ@3A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 2.1A

¥3.982 

阶梯数 价格
20: ¥3.982
100: ¥3.179
893 对比
IRLL2705PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 40mΩ@3.8A,10V N-Channel 55V 5.2A SOT-223

暂无价格 0 对比
BSP318S H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

60V 2.6A 90mΩ 10V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比
BSP320S H6327 Infineon 小信号MOSFET

60V 2.9A 120mΩ 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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