NDS9948 与 SI4948BEY-T1-GE3 区别
| 型号 | NDS9948 | SI4948BEY-T1-GE3 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-NDS9948 | A-SI4948BEY-T1-GE3 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Dual P-Channel 60 V 250 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | Si4948BEY Series Dual P-Channel 60 V 120 mOhms Surface Mount Power Mosfet-SOIC-8 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | SOIC-8 | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 1.4W | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 2.4A | ||||||||
| 系列 | - | TrenchFET® | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 22nC @ 10V | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 120mΩ | ||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 9,995 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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NDS9948 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
￥2.532
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9,995 | 当前型号 | ||||||||||
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SMBJ5.0A-E3/52 | Vishay | 数据手册 | TVS二极管 |
9.2V -55°C~150°C(TJ) 5V 单向 SMB(DO-214AA) |
暂无价格 | 20,000 | 对比 | ||||||||||
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SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4W -55°C~175°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 60V 2.4A 120mΩ |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||
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SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4W -55°C~175°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 60V 2.4A 120mΩ |
￥3.14
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550 | 对比 | ||||||||||
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SMBJ5.0A-E3/52 | Vishay | 数据手册 | TVS二极管 |
9.2V -55°C~150°C(TJ) 5V 单向 SMB(DO-214AA) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.4W -55°C~175°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 60V 2.4A 120mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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