NDS332P 与 SI2301A-TP 区别
| 型号 | NDS332P | SI2301A-TP | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-NDS332P | A36-SI2301A-TP | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | MCC | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||
| 描述 | P-Channel 20V 0.3O SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SSOT-3 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 | ||||||||||
| 输入电容Ciss | - | 880pF @ 6V | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 1.25W | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 2.8A | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||||||||
| 栅极电荷Qg | - | 14.5nC @ 4.5V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 120mΩ@2.8A,4.5V | ||||||||||
| FET 类型 | - | P-Channel | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±8V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 310 | 2,840 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDS332P | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3 |
￥1.1484
|
310 | 当前型号 | ||||||||||
|
AO3403 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -30V ±12V -2.6A 1.4W 115mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C |
￥0.6552
|
14,444 | 对比 | ||||||||||
|
NTR1P02LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||
|
SI2301A-TP | MCC | 小信号MOSFET |
SOT-23 -55°C~150°C(TJ) 2.8A 120mΩ@2.8A,4.5V 20V 1.25W ±8V |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | |||||||||||
|
DMP2225L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.08W(Ta) 110mΩ@2.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.6A |
￥0.4012
|
4,384 | 对比 | ||||||||||
|
|
SI2301A-TP | MCC | 小信号MOSFET |
SOT-23 -55°C~150°C(TJ) 2.8A 120mΩ@2.8A,4.5V 20V 1.25W ±8V |
￥0.654
|
2,840 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
