NCV2903DR2G 与 LM2903DR 区别
| 型号 | NCV2903DR2G | LM2903DR | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-NCV2903DR2G | A36-LM2903DR | ||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | TI | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 比较器 | ||||||||||||||
| 描述 | MOSFET | IC DUAL DIFF COMP 8-SOIC | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 输出类型 | CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL | - | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SOIC | ||||||||||||||
| 电流-输入偏置（最大值） | 0.25µA @ 5V | - | ||||||||||||||
| 工作温度 | -40°C~125°C | - | ||||||||||||||
| 系列 | NCV | - | ||||||||||||||
| 电压-输入失调（最大值） | 7mV @ 30V | - | ||||||||||||||
| 元件数 | 2 | - | ||||||||||||||
| 电流-静态（最大值） | 2.5mA | - | ||||||||||||||
| 电压-电源，单/双（±） | 2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V | - | ||||||||||||||
| 电流-输出（典型值） | 16mA @ 5V | - | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 4,873 | 52,939 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NCV2903DR2G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
-40°C~125°C 8-SOIC |
￥0.864
|
4,873 | 当前型号 | ||||||||||
|
LM393DT | STMicro | 数据手册 | 运算放大器 |
￥0.468
|
276,964 | 对比 | |||||||||||
|
LM2903DT | STMicro | 数据手册 | 比较器 |
SO-8 |
￥0.4758
|
154,048 | 对比 | ||||||||||
|
|
LM293DT | STMicro | 数据手册 | 比较器 |
8-SO |
￥0.4563
|
111,402 | 对比 | ||||||||||
|
LM2903DR | TI | 数据手册 | 比较器 |
8-SOIC |
￥0.4992
|
52,939 | 对比 | ||||||||||
|
|
LM293DT | STMicro | 数据手册 | 比较器 |
8-SO |
暂无价格 | 20,000 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
