MUN5335DW1T1G 与 PUMD10,115 区别
| 型号 | MUN5335DW1T1G | PUMD10,115 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-MUN5335DW1T1G | A36-PUMD10,115 | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Nexperia | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 达林顿晶体管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | PUMD10 Series 5/12 V 100 mA Surface Mount NPN/PNP Digital Transistor - SOT-363 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA | - | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 300mW | ||||||
| 功率 | 1/4W | - | ||||||
| 特征频率fT | - | 230MHz | ||||||
| 电阻器-基底（R1）（欧姆） | 2.2k | - | ||||||
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | 47K Ohms | - | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | 100mV | ||||||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA,10mA | - | ||||||
| FET类型 | NPN+PNP | - | ||||||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 80 @ 5mA,10V | - | ||||||
| 封装/外壳 | SC-88 | SOT-363 | ||||||
| VCBO | - | 50V | ||||||
| 工作温度 | - | -65°C~150°C | ||||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 50V | - | ||||||
| 集电极电流Ic | - | 100mA | ||||||
| VEBO | - | 5V | ||||||
| 尺寸 | - | 2.1*1.25*0.95 | ||||||
| 集电极最大允许电流Ic | 100mA | - | ||||||
| 集电极-发射极Vceo | - | 50V | ||||||
| 直流电流增益hFE | - | 100 | ||||||
| 晶体管类型 | - | NPN+PNP | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 33,004 | 590 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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MUN5335DW1T1G | ON Semiconductor | 达林顿晶体管 |
￥0.4186
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33,004 | 当前型号 | ||||||||||||||
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PUMD10,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
￥1.105
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4,460 | 对比 | ||||||||||||
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PUMD10,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
暂无价格 | 590 | 对比 | ||||||||||||
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PUMD10,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
暂无价格 | 356 | 对比 | ||||||||||||
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PUMD10,125 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA NPN+PNP |
￥0.6047
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50 | 对比 | ||||||||||||
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DCX123JU-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW 50V 100mA NPN+PNP |
暂无价格 | 13 | 对比 |
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