MUN5212DW1T1G 与 UMH11NTN 区别
| 型号 | MUN5212DW1T1G | UMH11NTN | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-MUN5212DW1T1G-1 | A3x-UMH11NTN | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 达林顿晶体管 | BJT三极管 | ||
| 描述 | UMH11N Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN Digital Transistor - SC-88 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA | - | ||
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | - | ||
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 60 @ 5mA,10V | - | ||
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA,10mA | - | ||
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | - | ||
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 100mA | - | ||
| 封装/外壳 | SC-88 | SOT-363 | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||
| 晶体管类型 | - | NPN | ||
| R1 | - | 10K Ohms | ||
| R2 | - | 10K Ohms | ||
| 功率耗散Pd | - | 150mW | ||
| 特征频率fT | - | 250MHz | ||
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | 22k | - | ||
| 集电极-射极饱和电压 | - | 300mV | ||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA,10mA | - | ||
| FET类型 | NPN | - | ||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 60 @ 5mA,10V | - | ||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 50V | - | ||
| 集电极电流Ic | - | 100mA | ||
| 集电极最大允许电流Ic | 100mA | - | ||
| 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） | 22k | - | ||
| 集电极-发射极Vceo | - | 50V | ||
| 直流电流增益hFE | - | 30 | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 1 | 100,000 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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MUN5212DW1T1G | ON Semiconductor | 达林顿晶体管 | 暂无价格 | 1 | 当前型号 | ||||||||||||||
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UMH11NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA NPN |
￥0.1831
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100,000 | 对比 | ||||||||||||
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PUMH11,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA 2NPN |
暂无价格 | 26,913 | 对比 | ||||||||||||
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UMH11NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA NPN |
￥1.2639
|
9,000 | 对比 | ||||||||||||
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UMH4NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA NPN |
￥0.2168
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7,716 | 对比 | ||||||||||||
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UMH1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA NPN |
￥1.2639
|
6,000 | 对比 |
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