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MUN5212DW1T1G  与  UMH11NTN  区别

型号 MUN5212DW1T1G UMH11NTN
唯样编号 A36-MUN5212DW1T1G-1 A3x-UMH11NTN
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 达林顿晶体管 通用三极管
描述 UMH11N Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN Digital Transistor - SC-88
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) 500nA -
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 5mA,10V -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA -
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V -
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA -
封装/外壳 SC-88 SOT-363
工作温度 - -55°C~150°C
晶体管类型 - NPN
R1 - 10K Ohms
R2 - 10K Ohms
功率耗散Pd - 150mW
特征频率fT - 250MHz
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) 22k -
集电极-射极饱和电压 - 300mV
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA -
FET类型 NPN -
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 5mA,10V -
集电极_发射极击穿电压VCEO 50V -
集电极连续电流 - 100mA
集电极最大允许电流Ic 100mA -
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 22k -
直流电流增益hFE - 30
集电极-发射极最大电压VCEO - 50V
库存与单价
库存 3,092 15,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
90+ :  ¥0.6006
200+ :  ¥0.3874
1,500+ :  ¥0.3367
3,000+ :  ¥0.2977
3,000+ :  ¥0.1831
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MUN5212DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

¥0.6006 

阶梯数 价格
90: ¥0.6006
200: ¥0.3874
1,500: ¥0.3367
3,000: ¥0.2977
3,092 当前型号
PUMD2,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD2_SOT-363 300mW N+P-Channel 50V 100mA 150mV 60 230MHz,180MHz

¥0.5995 

阶梯数 价格
90: ¥0.5995
200: ¥0.273
1,500: ¥0.1695
3,000: ¥0.1349
56,520 对比
DCX124EUQ-13-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

车规

¥0.4368 

阶梯数 价格
120: ¥0.4368
500: ¥0.3984
2,500: ¥0.3682
5,000: ¥0.3443
10,000: ¥0.3162
20,000 对比
PUMD16,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD16_SOT-363 300mW N+P-Channel 50V 100mA 150mV 80 车规

¥0.2481 

阶梯数 价格
560: ¥0.2481
1,000: ¥0.1938
1,500: ¥0.1589
3,000: ¥0.1381
15,000 对比
UMH11NTN ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-363 150mW NPN 50V 100mA 300mV 30 250MHz

¥0.1831 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.1831
15,000 对比
PUMH1,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMH1_SOT-363 300mW NPN/NPN 50V 100mA 150mV 60 230MHz

¥0.2481 

阶梯数 价格
560: ¥0.2481
1,000: ¥0.1938
1,500: ¥0.1589
3,000: ¥0.1381
15,000 对比

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