MUN5212DW1T1G 与 UMH4NTN 区别
| 型号 | MUN5212DW1T1G | UMH4NTN | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-MUN5212DW1T1G-1 | A36-UMH4NTN | ||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 达林顿晶体管 | BJT三极管 | ||||||||||||||
| 描述 | UMH4N Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN Digital Transistor - SC-88 | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA | - | ||||||||||||||
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | - | ||||||||||||||
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 60 @ 5mA,10V | - | ||||||||||||||
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA,10mA | - | ||||||||||||||
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | - | ||||||||||||||
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 100mA | - | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SC-88 | SOT-363 | ||||||||||||||
| VCBO | - | 50V | ||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||
| VEBO | - | 5V | ||||||||||||||
| 晶体管类型 | - | NPN | ||||||||||||||
| R1 | - | 10K Ohms | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 150mW | ||||||||||||||
| 特征频率fT | - | 250MHz | ||||||||||||||
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | 22k | - | ||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | 300mV | ||||||||||||||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA,10mA | - | ||||||||||||||
| FET类型 | NPN | - | ||||||||||||||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 60 @ 5mA,10V | - | ||||||||||||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 50V | - | ||||||||||||||
| 集电极连续电流 | - | 100mA | ||||||||||||||
| 集电极最大允许电流Ic | 100mA | - | ||||||||||||||
| 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） | 22k | - | ||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | - | 100 | ||||||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | - | 50V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 3,051 | 7,738 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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MUN5212DW1T1G | ON Semiconductor | 达林顿晶体管 |
￥0.3912
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3,051 | 当前型号 | ||||||||||||||
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DCX124EUQ-13-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
车规 |
￥0.4056
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20,000 | 对比 | ||||||||||||
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PUMD16,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA 150mV 80 车规 NPN+PNP |
暂无价格 | 15,000 | 对比 | ||||||||||||
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UMH11NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA 300mV 30 250MHz NPN |
￥0.1831
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15,000 | 对比 | ||||||||||||
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DCX124EUQ-13R-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
车规 |
￥0.4862
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9,969 | 对比 | ||||||||||||
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UMH4NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA 300mV 100 250MHz NPN |
￥0.2461
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7,738 | 对比 |
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