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MUN5212DW1T1G  与  DCX124EUQ-13-F  区别

型号 MUN5212DW1T1G DCX124EUQ-13-F
唯样编号 A36-MUN5212DW1T1G-1 A36-DCX124EUQ-13-F
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 达林顿晶体管 通用三极管
描述 PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) 500nA -
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 5mA,10V -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA -
产品特性 - 车规
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) 22k -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA -
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V -
FET类型 NPN -
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA -
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 5mA,10V -
封装/外壳 SC-88 -
集电极_发射极击穿电压VCEO 50V -
集电极最大允许电流Ic 100mA -
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 22k -
库存与单价
库存 3,061 20,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
100+ :  ¥0.5109
200+ :  ¥0.3302
1,500+ :  ¥0.286
120+ :  ¥0.4233
500+ :  ¥0.3848
2,500+ :  ¥0.3557
5,000+ :  ¥0.3328
10,000+ :  ¥0.3058
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MUN5212DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

¥0.5109 

阶梯数 价格
100: ¥0.5109
200: ¥0.3302
1,500: ¥0.286
3,061 当前型号
DCX124EUQ-13-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

车规

¥0.4233 

阶梯数 价格
120: ¥0.4233
500: ¥0.3848
2,500: ¥0.3557
5,000: ¥0.3328
10,000: ¥0.3058
20,000 对比
UMH11NTN ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-363 150mW NPN 50V 100mA 300mV 30 250MHz

¥0.1831 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.1831
15,000 对比
PUMD2,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

SOT-363 300mW N+P-Channel 50V 100mA 150mV 60 230MHz,180MHz

暂无价格 12,815 对比
DCX124EUQ-13R-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

车规

¥0.4862 

阶梯数 价格
110: ¥0.4862
500: ¥0.442
2,500: ¥0.4095
5,000: ¥0.3822
9,969 对比
DCX124EU-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-363 200mW NPN/PNP 50V 100mA 300mV 56 250MHz

¥0.246 

阶梯数 价格
210: ¥0.246
1,500: ¥0.2148
3,000: ¥0.1896
8,293 对比

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