首页 > 商品目录 > > > MUN5212DW1T1G代替型号比较

MUN5212DW1T1G  与  UMH1NTN  区别

型号 MUN5212DW1T1G UMH1NTN
唯样编号 A36-MUN5212DW1T1G-1 A3-UMH1NTN
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 达林顿晶体管 通用三极管
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) 500nA -
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 5mA,10V -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA -
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V -
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA -
封装/外壳 SC-88 SOT-363
工作温度 - -55℃~150℃
晶体管类型 - NPN
R1 - 22K Ohms
R2 - 22K Ohms
功率耗散Pd - 150mW
特征频率fT - 250MHz
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) 22k -
集电极-射极饱和电压 - 300mV
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA -
FET类型 NPN -
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 5mA,10V -
集电极_发射极击穿电压VCEO 50V -
集电极连续电流 - 100mA
集电极最大允许电流Ic 100mA -
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 22k -
直流电流增益hFE - 56
集电极-发射极最大电压VCEO - 50V
库存与单价
库存 3,692 200
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6292
200+ :  ¥0.4056
1,500+ :  ¥0.3523
3,000+ :  ¥0.312
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MUN5212DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

null

¥0.6292 

阶梯数 价格
80: ¥0.6292
200: ¥0.4056
1,500: ¥0.3523
3,000: ¥0.312
3,692 当前型号
PUMD2,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD2_SOT-363 300mW N+P-Channel 50V 100mA 150mV 60 230MHz,180MHz

¥0.2085 

阶梯数 价格
240: ¥0.2085
1,500: ¥0.1815
3,000: ¥0.1605
62,863 对比
PUMH1,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMH1_SOT-363 300mW NPN/NPN 50V 100mA 150mV 60 230MHz

¥0.2245 

阶梯数 价格
570: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
30,000 对比
DCX124EUQ-13-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

车规

¥0.6346 

阶梯数 价格
80: ¥0.6346
100: ¥0.5172
500: ¥0.4692
2,500: ¥0.4353
5,000: ¥0.406
10,000: ¥0.3733
20,000 对比
PUMH11,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMH11_SOT-363 300mW NPN/NPN 50V 100mA 150mV 30 230MHz

¥0.2245 

阶梯数 价格
570: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
15,000 对比
PUMD2,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD2_SOT-363 300mW N+P-Channel 50V 100mA 150mV 60 230MHz,180MHz

¥0.3031 

阶梯数 价格
10: ¥0.3031
100: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
10,893 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售