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MT47H64M16NF-25E:M  与  IS43DR16640C-25DBLI  区别

型号 MT47H64M16NF-25E:M IS43DR16640C-25DBLI
唯样编号 A36-MT47H64M16NF-25E:M A-IS43DR16640C-25DBLI
制造商 Micron Technology ISSI
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 异步动态随机存储器(DRAM) 异步动态随机存储器(DRAM)
描述 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
存储器格式 DRAM -
时钟频率 400MHz -
存储容量 1 Gbit -
电源电流—最大值 95 mA -
电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V -
访问时间 400ps -
数据总线宽度 16 bit -
组织 64 M x 16 -
封装/外壳 84-TFBGA 84-TWBGA(8x12.5)
工作温度 0°C ~ 85°C(TC) -
系列 MT47H -
最大时钟频率 800 MHz -
电源电压-最小 1.7 V -
存储器类型 易失 -
写周期时间 - 字,页 15ns -
存储器接口 并联 -
电源电压-最大 1.9 V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MT47H64M16NF-25E:M Micron  数据手册 异步动态随机存储器(DRAM)

84-TFBGA

暂无价格 0 当前型号
IS43DR16640C-25DBLI ISSI  数据手册 异步动态随机存储器(DRAM)

84-TWBGA(8x12.5)

暂无价格 2,500 对比
IS43DR16640C-25DBLI ISSI  数据手册 异步动态随机存储器(DRAM)

84-TWBGA(8x12.5)

暂无价格 0 对比

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