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MT47H128M8SH-25E:M  与  MT47H64M16NF-25E:M  区别

型号 MT47H128M8SH-25E:M MT47H64M16NF-25E:M
唯样编号 A36-MT47H128M8SH-25E:M A-MT47H64M16NF-25E:M
制造商 Micron Technology Micron Technology
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 异步动态随机存储器(DRAM) 异步动态随机存储器(DRAM)
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
存储器格式 DRAM DRAM
时钟频率 400MHz 400MHz
存储容量 1 Gbit 1 Gbit
电源电流—最大值 95 mA 95 mA
电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V 1.7 V ~ 1.9 V
访问时间 400ps 400ps
数据总线宽度 8 bit 16 bit
组织 128 M x 8 64 M x 16
封装/外壳 60-TFBGA 84-TFBGA
工作温度 0°C ~ 85°C(TC) 0°C ~ 85°C(TC)
系列 MT47H MT47H
最大时钟频率 800 MHz 800 MHz
电源电压-最小 1.7 V 1.7 V
存储器类型 易失 易失
写周期时间 - 字,页 15ns 15ns
存储器接口 并联 并联
电源电压-最大 1.9 V 1.9 V
库存与单价
库存 20 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
4+ :  ¥15.323
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MT47H128M8SH-25E:M Micron  数据手册 异步动态随机存储器(DRAM)

60-TFBGA

¥15.323 

阶梯数 价格
4: ¥15.323
20 当前型号
MT47H64M16NF-25E:M Micron  数据手册 异步动态随机存储器(DRAM)

84-TFBGA

暂无价格 0 对比
MT47H64M16NF-25E:M Micron  数据手册 异步动态随机存储器(DRAM)

84-TFBGA

¥12.2041 

阶梯数 价格
2,000: ¥12.2041
0 对比
MT47H64M16NF-25E:M Micron  数据手册 异步动态随机存储器(DRAM)

84-TFBGA

暂无价格 0 对比

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