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MMUN2214LT1G  与  PDTC114ET,215  区别

型号 MMUN2214LT1G PDTC114ET,215
唯样编号 A36-MMUN2214LT1G A36-PDTC114ET,215
制造商 ON Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm NPN Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23 PDTC114E Series 40 V 100 mA Surface Mount NPN Digital Transistor - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) 500nA -
功率耗散Pd - 250mW
功率 0.246W -
特征频率fT - 230MHz
产品特性 带阻/预偏置 -
电阻器-基底(R1)(欧姆) 10k -
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) 47K Ohms -
集电极-射极饱和电压 - 150mV
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA -
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V -
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
VCBO - 50V
工作温度 - -65°C~150°C
集电极_发射极击穿电压VCEO 50V -
VEBO - 10V
尺寸 - 2.9*1.3*1
集电极连续电流 - 100mA
集电极最大允许电流Ic 100mA -
直流电流增益hFE - 30
集电极-发射极最大电压VCEO - 50V
晶体管类型 NPN NPN
库存与单价
库存 30,123 78,090
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
100+ :  ¥0.5522
200+ :  ¥0.2505
1,500+ :  ¥0.1575
3,000+ :  ¥0.1247
90+ :  ¥0.5753
200+ :  ¥0.4394
1,500+ :  ¥0.3822
3,000+ :  ¥0.338
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MMUN2214LT1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-23 NPN 带阻/预偏置

¥0.5522 

阶梯数 价格
100: ¥0.5522
200: ¥0.2505
1,500: ¥0.1575
3,000: ¥0.1247
30,123 当前型号
DTC114EKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 50mA 300mV 30 250MHz NPN

¥0.6078 

阶梯数 价格
90: ¥0.6078
200: ¥0.2757
1,500: ¥0.1725
3,000: ¥0.1369
587,487 对比
DTC114YKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 70mA 300mV 68 250MHz NPN

¥0.7455 

阶梯数 价格
70: ¥0.7455
200: ¥0.2931
1,500: ¥0.2127
3,000: ¥0.1683
111,135 对比
PDTC114ET,215 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 250mW 50V 100mA 150mV 30 230MHz NPN

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
78,090 对比
DTC114YKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 70mA 300mV 68 250MHz NPN

暂无价格 15,000 对比
DTC114EKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 50mA 300mV 30 250MHz NPN

¥1.0342 

阶梯数 价格
150: ¥1.0342
300: ¥0.7458
500: ¥0.6166
4,000: ¥0.5289
5,000: ¥0.5171
8,865 对比

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