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MMUN2214LT1G  与  DTC114EKAT146  区别

型号 MMUN2214LT1G DTC114EKAT146
唯样编号 A36-MMUN2214LT1G A36-DTC114EKAT146
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm NPN Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
R2 - 10K Ohms
电流-集电极截止(最大值) 500nA -
功率耗散Pd - 200mW
功率 0.246W -
特征频率fT - 250MHz
产品特性 带阻/预偏置 -
电阻器-基底(R1)(欧姆) 10k -
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) 47K Ohms -
集电极-射极饱和电压 - 300mV
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA -
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V -
封装/外壳 SOT-23 SOT-346
工作温度 - -55°C~150°C
集电极_发射极击穿电压VCEO 50V -
集电极连续电流 - 50mA
集电极最大允许电流Ic 100mA -
直流电流增益hFE - 30
集电极-发射极最大电压VCEO - 50V
晶体管类型 NPN NPN
R1 - 10K Ohms
库存与单价
库存 1,763 31,006
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
220+ :  ¥0.2325
1,500+ :  ¥0.1457
240+ :  ¥0.213
1,500+ :  ¥0.1332
3,000+ :  ¥0.1058
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MMUN2214LT1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-23 NPN 带阻/预偏置

¥0.2325 

阶梯数 价格
220: ¥0.2325
1,500: ¥0.1457
1,763 当前型号
DTC114EKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 50mA 300mV 30 250MHz NPN

¥0.213 

阶梯数 价格
240: ¥0.213
1,500: ¥0.1332
3,000: ¥0.1058
31,006 对比
DTC114YKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 70mA 300mV 68 250MHz NPN

暂无价格 15,000 对比
PDTC114ET,215 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 250mW 50V 100mA 150mV 30 230MHz NPN

¥0.8822 

阶梯数 价格
60: ¥0.8822
200: ¥0.6094
1,500: ¥0.5533
13,558 对比
DTC114ECAT116 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-23 200mW 50V 50mA 300mV 30 250MHz NPN

¥1.9836 

阶梯数 价格
80: ¥1.9836
100: ¥1.7728
300: ¥1.1212
500: ¥1.0342
1,000: ¥0.9248
4,000: ¥0.8552
5,000: ¥0.8552
9,000 对比
DTC114YKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 70mA 300mV 68 250MHz NPN

¥1.0342 

阶梯数 价格
150: ¥1.0342
300: ¥0.7458
500: ¥0.6166
4,000: ¥0.5289
5,000: ¥0.5171
5,257 对比

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