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MMUN2214LT1G  与  DTC114EKAT146  区别

型号 MMUN2214LT1G DTC114EKAT146
唯样编号 A36-MMUN2214LT1G A32-DTC114EKAT146-1
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm NPN Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
R2 - 10K Ohms
电流-集电极截止(最大值) 500nA -
功率耗散Pd - 200mW
功率 0.246W -
特征频率fT - 250MHz
产品特性 带阻/预偏置 -
电阻器-基底(R1)(欧姆) 10k -
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) 47K Ohms -
集电极-射极饱和电压 - 300mV
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA -
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V -
封装/外壳 SOT-23 SOT-346
工作温度 - -55°C~150°C
集电极_发射极击穿电压VCEO 50V -
集电极电流Ic - 50mA
集电极最大允许电流Ic 100mA -
集电极-发射极Vceo - 50V
直流电流增益hFE - 30
晶体管类型 NPN NPN
R1 - 10K Ohms
库存与单价
库存 35,081 53,840
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6756
200+ :  ¥0.282
1,500+ :  ¥0.177
3,000+ :  ¥0.1395
100+ :  ¥0.9265
500+ :  ¥0.8551
1,000+ :  ¥0.7839
3,000+ :  ¥0.6415
15,000+ :  ¥0.5896
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MMUN2214LT1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-23 NPN 带阻/预偏置

¥0.6756 

阶梯数 价格
80: ¥0.6756
200: ¥0.282
1,500: ¥0.177
3,000: ¥0.1395
35,081 当前型号
DTC114EKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 50mA NPN

¥0.6435 

阶梯数 价格
80: ¥0.6435
200: ¥0.27
1,500: ¥0.1679
3,000: ¥0.1332
276,799 对比
PDTC114ET,215 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 250mW 50V 100mA NPN

暂无价格 211,994 对比
DTC114EKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 50mA NPN

¥0.6464 

阶梯数 价格
240: ¥0.6464
500: ¥0.5759
1,000: ¥0.4936
4,000: ¥0.4114
30,000: ¥0.3996
85,142 对比
DTC114YKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 70mA NPN

¥0.8036 

阶梯数 价格
70: ¥0.8036
200: ¥0.2896
1,500: ¥0.2086
3,000: ¥0.1661
73,040 对比
DTC114EKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 50mA NPN

¥0.9265 

阶梯数 价格
100: ¥0.9265
500: ¥0.8551
1,000: ¥0.7839
3,000: ¥0.6415
15,000: ¥0.5896
53,840 对比

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