MMUN2111LT1G 与 PDTA114ET,215 区别
| 型号 | MMUN2111LT1G | PDTA114ET,215 | ||||||
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| 唯样编号 | A36-MMUN2111LT1G | A36-PDTA114ET,215 | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Nexperia | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm PNP Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23 | TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| R2 | 10k Ohms | - | ||||||
| 功率耗散Pd | 246mW | 250mW | ||||||
| 特征频率fT | - | 180MHz | ||||||
| 产品特性 | - | 带阻/预偏置 | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 250mV | -150mV | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||||
| VCBO | -50V | -50V | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C | ||||||
| 集电极电流Ic | -100mA | -100mA | ||||||
| VEBO | - | -10V | ||||||
| 尺寸 | - | 2.9*1.3*1 | ||||||
| 集电极-发射极Vceo | -50V | -50V | ||||||
| 直流电流增益hFE | 35 | 30 | ||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||
| R1 | 10k Ohms | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 15,202 | 30,871 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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MMUN2111LT1G | ON Semiconductor | BJT三极管 |
SOT-23 246mW -50V -100mA PNP |
￥0.243
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15,202 | 当前型号 | |||||||||||
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DTA114EKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -50mA PNP |
￥0.744
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967,390 | 对比 | ||||||||||
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PDTA114ET,235 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 250mW -50V -100mA PNP 带阻/预偏置 |
￥0.1163
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300,000 | 对比 | ||||||||||
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PDTA114YT,215 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 250mW -50V -100mA PNP 带阻/预偏置 |
￥0.1046
|
300,000 | 对比 | ||||||||||
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DTB114EKT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -500mA PNP |
￥0.6292
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117,089 | 对比 | ||||||||||
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PDTA114ET,215 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 250mW -50V -100mA PNP 带阻/预偏置 |
暂无价格 | 30,871 | 对比 |
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