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MMBT5401LT1G  与  MMBT5401  区别

型号 MMBT5401LT1G MMBT5401
唯样编号 A36-MMBT5401LT1G A32-MMBT5401
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 车规 车规
描述 MMBT5401 Series 150 V CE Breakdown 0.6 A PNP General Purpose Amplifier - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) - 50nA(ICBO)
功率 - 7/20W
宽度 - 1.3mm
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) - 150V
引脚数目 - 3
封装/外壳 SOT-23 2.9*1.3*0.96mm
最大集电极-基极电压 - -160 V
VCBO -160V -
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
VEBO -5V -
最大直流集电极电流 - 600 mA
长度 - 2.9mm
最大集电极-发射极电压 - 150 V
最低工作温度 - -55 °C
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
最高工作温度 - +150 °C
Power-Max - 350mW
高度 - 0.96mm
晶体管类型 PNP P-Channel
功率耗散Pd 300mW -
最大发射极-基极电压 - -5 V
特征频率fT 300MHz -
最小直流电流增益 - 50
集电极-射极饱和电压 -500mV -
晶体管配置 -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 500mV @ 5mA,50mA
FET类型 - P-Channel
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 60 @ 10mA,5V
最大工作频率 - 300 MHz
频率-跃迁 - 300MHz
集电极连续电流 -500mA -
Current-Collector(Ic)(Max) - 600mA
直流电流增益hFE 60 -
集电极-发射极最大电压VCEO -150V -
最大集电极-发射极饱和电压 - -0.5 V
最大基极-发射极饱和电压 - -1 V
库存与单价
库存 92,920 4,678
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
230+ :  ¥0.2265
1,500+ :  ¥0.1965
3,000+ :  ¥0.174
1+ :  ¥0.2045
2+ :  ¥0.1878
4+ :  ¥0.1727
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MMBT5401LT1G ON Semiconductor 车规

SOT-23

¥0.2265 

阶梯数 价格
230: ¥0.2265
1,500: ¥0.1965
3,000: ¥0.174
92,920 当前型号
MMBT5401-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-23

¥0.649 

阶梯数 价格
80: ¥0.649
200: ¥0.2955
1,500: ¥0.1845
3,000: ¥0.1272
9,398 对比
PBHV9115T,215 Nexperia  数据手册 通用三极管

PBHV9115T_SOT-23

¥1.2627 

阶梯数 价格
580: ¥1.2627
1,000: ¥0.9788
1,500: ¥0.8023
3,000: ¥0.7228
6,000 对比
PBHV9115T,215 Nexperia  数据手册 通用三极管

PBHV9115T_SOT-23

暂无价格 6,000 对比
MMBT5401 ON Semiconductor 车规

SOT-23-3 SOT-23 2.9mm 2.9*1.3*0.96mm

¥0.2045 

阶梯数 价格
1: ¥0.2045
2: ¥0.1878
4: ¥0.1727
4,678 对比
PBHV9115T,215 Nexperia  数据手册 通用三极管

PBHV9115T_SOT-23

¥1.331 

阶梯数 价格
40: ¥1.331
200: ¥1.0197
1,500: ¥0.8866
1,891 对比

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