MMBF170-7-F 与 MMBF170LT1G 区别
| 型号 | MMBF170-7-F | MMBF170LT1G | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-MMBF170-7-F | A36-MMBF170LT1G | ||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | N-Channel 60 V 5 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Transistor-SOT-23-3 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 0.5A | - | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5Ω@200mA,10V | - | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 40pF @ 10V | - | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 300mW(Ta) | - | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 1,980 | 19,679 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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MMBF170-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 300mW(Ta) 5Ω@200mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.5A |
￥0.6655
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1,980 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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2N7002,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 0.83W -65°C~150°C ±30V 60V 0.3A SOT-23 |
￥0.6314
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207,996 | 对比 | ||||||||||||||||
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RHP020N06T100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 500mW(Ta) 200mΩ@2A,10V 150°C(TJ) MPT N-Channel 60V 2A |
￥5.5003
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20,631 | 对比 | ||||||||||||||||
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MMBF170LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
￥0.4719
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19,679 | 对比 | ||||||||||||||||
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MMBF170 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
￥0.5239
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10,040 | 对比 | ||||||||||||||||
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RHP020N06T100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 500mW(Ta) 200mΩ@2A,10V 150°C(TJ) MPT N-Channel 60V 2A |
暂无价格 | 7,100 | 对比 |
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