MMBF170 与 MMBF170-7-F 区别
| 型号 | MMBF170 | MMBF170-7-F | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-MMBF170-1 | A36-MMBF170-7-F | ||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | N-Channel 60 V 5 Ohm Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOT-23 | N-Channel 60 V 5 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Transistor-SOT-23-3 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 0.5A | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 5Ω@200mA,10V | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 40pF @ 10V | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 300mW(Ta) | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 10,040 | 1,980 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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MMBF170 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
￥0.5239
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10,040 | 当前型号 | ||||||||||
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2N7002,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 0.83W -65°C~150°C ±30V 60V 0.3A SOT-23 |
￥0.6314
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207,996 | 对比 | ||||||||||
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MMBF170LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
￥0.4719
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19,679 | 对比 | ||||||||||
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BS870-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 300mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 250mA(Ta) |
￥0.6633
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9,799 | 对比 | ||||||||||
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MMBF170LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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MMBF170-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 300mW(Ta) 5Ω@200mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.5A |
￥0.6655
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1,980 | 对比 |
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