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MGSF2N02ELT1G  与  NDS331N  区别

型号 MGSF2N02ELT1G NDS331N
唯样编号 A36-MGSF2N02ELT1G A32-NDS331N-1
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 20 V 0.5 W 5 nC DMOS Surface Mount Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1.25W(Ta) 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 85 毫欧 @ 3.6A,4.5V 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) - 500mW(Ta)
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.8A(Ta) 1.3A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 5V 162pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.5nC @ 4V 5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.7V,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 5V 162pF @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.5nC @ 4V 5nC @ 4.5V
库存与单价
库存 5,121 15,000
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
40+ :  ¥1.628
100+ :  ¥1.254
750+ :  ¥1.0417
1,500+ :  ¥0.9471
3,000+ :  ¥0.869
3,000+ :  ¥1.045
6,000+ :  ¥1.0188
12,000+ :  ¥0.9933
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MGSF2N02ELT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.254
750: ¥1.0417
1,500: ¥0.9471
3,000: ¥0.869
5,121 当前型号
DMG2302U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.4147 

阶梯数 价格
130: ¥0.4147
200: ¥0.2678
3,000: ¥0.237
64,974 对比
DMG2302U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 24,000 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1978
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.102
19,416 对比
NDS331N ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SuperSOT TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥1.045 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.045
6,000: ¥1.0188
12,000: ¥0.9933
15,000 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥0.88 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.88
15,000 对比

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