MGSF1N02LT1G 与 RUR020N02TL 区别
| 型号 | MGSF1N02LT1G | RUR020N02TL | ||||||||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-MGSF1N02LT1G | A33-RUR020N02TL-2 | ||||||||||||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3 | RUR020N02 Series 20 V 2 A 2 nC Surface Mount N-Channel Mosfet - TSMT-3 | ||||||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 105mΩ@2A,4.5V | ||||||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 540mW(Ta) | ||||||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±10V | ||||||||||||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3(TO-236) | TSMT | ||||||||||||||||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 2A | ||||||||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 1mA | ||||||||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 180pF @ 10V | ||||||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2nC @ 4.5V | ||||||||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.5V,4.5V | ||||||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||||||
| 库存 | 6,013 | 19,416 | ||||||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
￥1.375
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6,013 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
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19,416 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A |
￥0.4719
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11,492 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMN2005K-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 350mW(Ta) ±10V SOT-23-3 -65°C~150°C(TJ) 20V 300mA(Ta) |
￥0.7513
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9,169 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
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8,772 | 对比 | ||||||||||||||||
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AO3424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 55mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C |
￥0.8448
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580 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
