MBT3906DW1T1G 与 UMT1NTN 区别
| 型号 | MBT3906DW1T1G | UMT1NTN | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-MBT3906DW1T1G | A3-UMT1NTN | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | UMT1N Series 50 V 150 mA Dual PNP General Purpose Isolated Transistor-SOT-363 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | - | SOT-363 | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 150mW | ||||||||
| VCBO | - | -60V | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| 特征频率fT | - | 140MHz | ||||||||
| VEBO | - | -6V | ||||||||
| 集电极连续电流 | - | -150mA | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | -500mV | ||||||||
| 直流电流增益hFE | - | 120 | ||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | - | -50V | ||||||||
| 晶体管类型 | - | PNP | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 5,855 | 60,070 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MBT3906DW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
￥0.338
|
5,855 | 当前型号 | |||||||||||
|
UMT1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW -50V -150mA -500mV 120 140MHz PNP |
暂无价格 | 60,070 | 对比 | ||||||||||
|
MMDT4403-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW -40V -600mA -750mV 100 200MHz 2PNP |
￥0.4133
|
41,318 | 对比 | ||||||||||
|
BC857BS,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW -45V -100mA -400mV 200 100MHz PNP |
￥0.5629
|
11,617 | 对比 | ||||||||||
|
|
UMT1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW -50V -150mA -500mV 120 140MHz PNP |
￥0.9954
|
8,694 | 对比 | ||||||||||
|
MMDT4401-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW 40V 600mA 750mV 100 250MHz 2NPN |
￥0.3419
|
6,001 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
