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LM2903DGKR  与  NCV2903DR2G  区别

型号 LM2903DGKR NCV2903DR2G
唯样编号 A36-LM2903DGKR A36-NCV2903DR2G
制造商 TI ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 比较器 通用MOSFET
描述 IC DUAL DIFF COMPARATOR 8VSSOP MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电压 - 电源,单/双(±) 2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V -
电流-输入偏置(最大值) - 0.25µA @ 5V
典型双电源电压 ±12 V, ±15 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V -
电压-输入失调(最大值) - 7mV @ 30V
元件数 2 2
比较器类型 差分 -
电流-静态(最大值) - 2.5mA
引脚数目 8 -
电压-电源,单/双(±) - 2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V
典型电压增益 100 dB -
电流 - 输入偏置(最大值) 0.25µA @ 5V -
封装/外壳 3 x 3 x 0.97mm 8-SOIC
工作温度 -40°C ~ 125°C -40°C~125°C
电流 - 静态(最大值) 2.5mA -
长度 3mm -
电流 - 输出(典型值) 20mA -
典型响应时间 1.3µs -
最低工作温度 -40 °C -
最高工作温度 +125 °C -
高度 0.97mm -
电源类型 双,单 -
电流-输出(典型值) - 16mA @ 5V
FET类型 差分 -
典型单电源电压 3 → 28 V -
输出类型 开路集电极 CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL
系列 - NCV
电压 - 输入失调(最大值) 7mV @ 30V -
每片芯片通道数目 2 -
库存与单价
库存 2,331 5,527
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7843
100+ :  ¥0.6188
1,250+ :  ¥0.5616
50+ :  ¥1.133
100+ :  ¥0.8723
1,250+ :  ¥0.7392
2,500+ :  ¥0.627
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
LM2903DGKR TI  数据手册 比较器

3mm 3x3x0.97mm

¥0.7843 

阶梯数 价格
70: ¥0.7843
100: ¥0.6188
1,250: ¥0.5616
2,331 当前型号
LM2903PT STMicro  数据手册 比较器

TSSOP-8

¥0.8822 

阶梯数 价格
60: ¥0.8822
200: ¥0.6094
2,000: ¥0.5533
18,576 对比
LM2903PT STMicro  数据手册 比较器

TSSOP-8

暂无价格 16,000 对比
BA2903SFVM-TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用放大器

8-VSSOP,8-MSOP

¥1.4949 

阶梯数 价格
110: ¥1.4949
500: ¥1.2553
1,000: ¥1.2074
2,000: ¥1.1212
4,000: ¥1.1116
8,650 对比
NCV2903DR2G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
100: ¥0.8723
1,250: ¥0.7392
2,500: ¥0.627
5,527 对比
BA2903FVM-TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用放大器

8-VSSOP,8-MSOP

¥2.204 

阶梯数 价格
70: ¥2.204
100: ¥2.0986
500: ¥1.7632
1,000: ¥1.6961
2,000: ¥1.5811
2,759 对比

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