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IRLZ44NPBF  与  AOT2618L  区别

型号 IRLZ44NPBF AOT2618L
唯样编号 A36-IRLZ44NPBF A-AOT2618L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 7
Rds On(Max)@Id,Vgs 22mΩ@25A,10V 19mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 25mΩ
Qgd(nC) - 1.6
栅极电压Vgs ±16V 20V
Td(on)(ns) - 7.5
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 47A 23A
Ciss(pF) - 950
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 20
Td(off)(ns) - 18
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),110W(Tc) 41.5W
Qrr(nC) - 70
VGS(th) - 2.5
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 5V -
Coss(pF) - 108
Qg*(nC) - 6
库存与单价
库存 13 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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