IRLR2905ZTRPBF 与 STD30NF06LT4 区别
| 型号 | IRLR2905ZTRPBF | STD30NF06LT4 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-IRLR2905ZTRPBF-2 | A36-STD30NF06LT4 | ||||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 35A DPAK | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 110W(Tc) | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 55V | - | ||||||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5V | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±16V | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | D-Pak | TO-252-3 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 60A | - | ||||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - | ||||||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1570pF @ 25V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35nC @ 5V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1570pF | - | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 13.5mΩ@36A,10V | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35nC | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 30 | 4,918 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.5mΩ@36A,10V N-Channel 55V 60A D-Pak |
￥2.2002
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30 | 当前型号 | ||||||||||
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STD30NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||||||||
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STD30NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥6.192
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4,918 | 对比 | ||||||||||
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STD60NF55LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥5.964
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2,500 | 对比 | ||||||||||
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STD60NF55LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||
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BUK7212-55B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 12mΩ@25A,10V 167W -55°C~185°C ±20V 55V 75A |
￥18.7846
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2,299 | 对比 |
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