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IRLMS1503TRPBF  与  RTQ020N03TR  区别

型号 IRLMS1503TRPBF RTQ020N03TR
唯样编号 A36-IRLMS1503TRPBF A33-RTQ020N03TR-1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 0.2 Ohm 9.6 nC 1.7 W Generation V SMT Mosfet - MICRO-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@2.2A,10V 125mΩ@2A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.7W(Ta) 1.25W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V 12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 Micro6™(TSOP-6) SOT-23-6,TSOT-23-6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.2A 2A(Ta)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 210pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.6nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 1.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 210pF @ 25V 135pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.6nC @ 10V 3.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存 1,202 6,000
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
30+ :  ¥2.321
100+ :  ¥1.87
750+ :  ¥1.661
110+ :  ¥1.4853
500+ :  ¥1.2553
1,000+ :  ¥1.2074
2,000+ :  ¥1.1691
4,000+ :  ¥1.1308
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLMS1503TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro6™(TSOP-6)

¥2.321 

阶梯数 价格
30: ¥2.321
100: ¥1.87
750: ¥1.661
1,202 当前型号
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.4853 

阶梯数 价格
110: ¥1.4853
500: ¥1.2553
1,000: ¥1.2074
2,000: ¥1.1691
4,000: ¥1.1308
6,000 对比
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.4853 

阶梯数 价格
110: ¥1.4853
500: ¥1.2553
1,000: ¥1.2074
2,000: ¥1.1691
3,000 对比
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.4853 

阶梯数 价格
110: ¥1.4853
500: ¥1.2553
987 对比
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥4.6253 

阶梯数 价格
1: ¥4.6253
100: ¥2.6225
1,500: ¥1.6627
3,000: ¥1.2387
100 对比
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

暂无价格 100 对比

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