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IRLML6246TRPBF  与  ZXMN2A14FTA  区别

型号 IRLML6246TRPBF ZXMN2A14FTA
唯样编号 A36-IRLML6246TRPBF A36-ZXMN2A14FTA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 ZXMN2A14 Series 20 V 0.06 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 46mΩ@4.1A,4.5V 60mΩ@3.4A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta) 1W(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.1A 4.1A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 16V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 5µA 700mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 290pF @ 16V 544pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.5nC @ 4.5V 6.6nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 5µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 290pF @ 16V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.5nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 24,499 1,364
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7425
200+ :  ¥0.6032
1,500+ :  ¥0.5499
3,000+ :  ¥0.5148
40+ :  ¥1.606
100+ :  ¥1.232
750+ :  ¥1.0296
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML6246TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7425 

阶梯数 价格
70: ¥0.7425
200: ¥0.6032
1,500: ¥0.5499
3,000: ¥0.5148
24,499 当前型号
DMN2075U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 52,000 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥0.88 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.88
15,000 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥2.5011 

阶梯数 价格
60: ¥2.5011
100: ¥2.3765
500: ¥1.974
1,000: ¥1.8974
2,000: ¥1.7728
4,000: ¥1.7536
4,011 对比
RUR040N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SC-96

¥1.3359 

阶梯数 价格
1: ¥1.3359
25: ¥1.1515
100: ¥1.0302
500: ¥0.8881
1,000: ¥0.7656
1,960 对比
ZXMN2A14FTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
750: ¥1.0296
1,364 对比

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