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IRLML2060TRPBF  与  2N7002-7-F  区别

型号 IRLML2060TRPBF 2N7002-7-F
唯样编号 A36-IRLML2060TRPBF A-2N7002-7-F
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 1.25 W 0.67 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 480mΩ@1.2A,10V 7.5Ω@50mA,5V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 370mW
栅极电压Vgs ±16V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 1.2A 115mA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 64pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.67nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 64pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) .67nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 3,342 5
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
60+ :  ¥0.9383
200+ :  ¥0.6479
1,500+ :  ¥0.5874
1+ :  ¥0.3599
100+ :  ¥0.2322
1,000+ :  ¥0.172
1,500+ :  ¥0.1433
3,000+ :  ¥0.112
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML2060TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
1,500: ¥0.5874
3,342 当前型号
2N7002-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.2355 

阶梯数 价格
220: ¥0.2355
1,500: ¥0.1476
3,000: ¥0.1019
133,995 对比
ZXMN6A07FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

3.04mm SOT-23

¥0.891 

阶梯数 价格
60: ¥0.891
200: ¥0.6138
1,500: ¥0.5577
5,849 对比
2N7002-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.3599 

阶梯数 价格
1: ¥0.3599
100: ¥0.2322
1,000: ¥0.172
1,500: ¥0.1433
3,000: ¥0.112
5 对比
2N7002-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥1.8252 

阶梯数 价格
1: ¥1.8252
5 对比
AO3460 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3L

暂无价格 0 对比

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