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IRL3705NSTRLPBF  与  STB60NF06LT4  区别

型号 IRL3705NSTRLPBF STB60NF06LT4
唯样编号 A36-IRL3705NSTRLPBF A-STB60NF06LT4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 170 W 98 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.35 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 10mΩ@46A,10V 14mΩ@30A,10V
正向跨导-最小值 - 20 S
上升时间 - 220 ns
栅极电压Vgs ±16V ±15V
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -65°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 89A 60A
配置 - Single
长度 - 10.4 mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 5V,10V
下降时间 - 30 ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V -
高度 - 4.6 mm
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),170W(Tc) 110W(Tc)
典型关闭延迟时间 - 55 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® STB
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V 2000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 5V 66nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 35 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 5V -
库存与单价
库存 65 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
7+ :  ¥7.557
暂无价格
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