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IRL3705NSTRLPBF  与  IPB090N06N3GATMA1  区别

型号 IRL3705NSTRLPBF IPB090N06N3GATMA1
唯样编号 A36-IRL3705NSTRLPBF A-IPB090N06N3GATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 170 W 98 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 71W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 10mΩ@46A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF @ 30V
栅极电压Vgs ±16V -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 89A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 9 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),170W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 34uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3600pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 5V -
库存与单价
库存 65 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
7+ :  ¥7.557
暂无价格
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