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IRFZ34NSTRLPBF  与  STB36NF06LT4  区别

型号 IRFZ34NSTRLPBF STB36NF06LT4
唯样编号 A36-IRFZ34NSTRLPBF A3-STB36NF06LT4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@16A,10V -
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),68W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 29A -
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V -
库存与单价
库存 55 0
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
9+ :  ¥5.797
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