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IRFU120PBF  与  IRFU120NPBF  区别

型号 IRFU120PBF IRFU120NPBF
唯样编号 A36-IRFU120PBF A-IRFU120NPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251) Single N-Channel 100 V 48 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-251AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 270 mOhms @ 4.6A,10V 210mΩ@5.6A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W,42W 48W(Tc)
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-251AA IPAK(TO-251)
连续漏极电流Id 7.7A(Tc) 9.4A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 330pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 330pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
库存与单价
库存 2,250 3,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
20+ :  ¥3.553
100+ :  ¥2.959
750+ :  ¥2.75
1,500+ :  ¥2.607
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFU120PBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

7.7A(Tc) N-Channel 270 mOhms @ 4.6A,10V 2.5W,42W TO-251AA -55℃~150℃ 100V

¥3.553 

阶梯数 价格
20: ¥3.553
100: ¥2.959
750: ¥2.75
1,500: ¥2.607
2,250 当前型号
IRFU120NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 210mΩ@5.6A,10V N-Channel 100V 9.4A IPAK(TO-251)

暂无价格 3,000 对比
IRFU120N Infineon  数据手册 功率MOSFET

210mΩ 100V IPAK (TO-251) N-Channel 20V 5.8A

暂无价格 0 对比

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