首页 > 商品目录 > > > > IRFTS9342TRPBF代替型号比较

IRFTS9342TRPBF  与  DMP3050LVT-7  区别

型号 IRFTS9342TRPBF DMP3050LVT-7
唯样编号 A36-IRFTS9342TRPBF A3-DMP3050LVT-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 DMP3050LVT: 30 V 50 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@5.8A,10V 50mΩ@4.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 1.8W(Ta)
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 6-TSOP TSOT-26
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.8A 4.5A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 595pF @ 25V 620pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V 10.5nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 595pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC -
库存与单价
库存 5 45,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFTS9342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

6-TSOP

暂无价格 5 当前型号
DMP3050LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TSOT-26

暂无价格 45,000 对比
DMP3050LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TSOT-26

¥0.9405 

阶梯数 价格
60: ¥0.9405
200: ¥0.649
688 对比
RSQ035P03TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSMT6(SC-95)

暂无价格 0 对比
DMP3050LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TSOT-26

暂无价格 0 对比
AO6403 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售