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IRFS9N60APBF  与  R6007JNJGTL  区别

型号 IRFS9N60APBF R6007JNJGTL
唯样编号 A36-IRFS9N60APBF A33-R6007JNJGTL
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.75 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 750 mOhms @ 5.5A,10V -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 170W(Tc) 96W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 780mOhms@3.5A,15V
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - 7V@1mA
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263AB TO-263-3
连续漏极电流Id 9.2A(Tc) 7A(Tc)
工作温度 -55℃~150℃ -55℃~150℃(TJ)
Vgs(最大值) ±30V ±30V
栅极电荷Qg - 17.5nC@15V
库存与单价
库存 835 100
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
5+ :  ¥11.858
100+ :  ¥10.043
20+ :  ¥13.7029
50+ :  ¥9.1704
100+ :  ¥8.605
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS9N60APBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

9.2A(Tc) N-Channel 750 mOhms @ 5.5A,10V 170W(Tc) TO-263AB -55℃~150℃ 600V

¥11.858 

阶梯数 价格
5: ¥11.858
100: ¥10.043
835 当前型号
STB10NK60ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 1,000 对比
R6007JNJGTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7A(Tc) N-Channel 7V@1mA 96W(Tc) TO-263-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

暂无价格 200 对比
R6007JNJGTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7A(Tc) N-Channel 7V@1mA 96W(Tc) TO-263-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

¥13.7029 

阶梯数 价格
20: ¥13.7029
50: ¥9.1704
100: ¥8.605
100 对比
R6007JNJGTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7A(Tc) N-Channel 7V@1mA 96W(Tc) TO-263-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

¥13.7029 

阶梯数 价格
20: ¥13.7029
50: ¥9.1704
100: ¥8.605
100 对比
IRF540NSPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 44mΩ@16A,10V N-Channel 100V 33A D2PAK

暂无价格 0 对比

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