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IRFS9N60APBF  与  IRF540NSPBF  区别

型号 IRFS9N60APBF IRF540NSPBF
唯样编号 A36-IRFS9N60APBF A-IRF540NSPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.75 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3 Single N-Channel 100 V 130 W 71 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 750 mOhms @ 5.5A,10V 44mΩ@16A,10V
漏源极电压Vds 600V 100V
Pd-功率耗散(Max) 170W(Tc) 130W(Tc)
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263AB D2PAK
连续漏极电流Id 9.2A(Tc) 33A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1960pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 71nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1960pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 71nC @ 10V
库存与单价
库存 835 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
5+ :  ¥11.858
100+ :  ¥10.043
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS9N60APBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

9.2A(Tc) N-Channel 750 mOhms @ 5.5A,10V 170W(Tc) TO-263AB -55℃~150℃ 600V

¥11.858 

阶梯数 价格
5: ¥11.858
100: ¥10.043
835 当前型号
STB10NK60ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 1,000 对比
R6007JNJGTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7A(Tc) N-Channel 7V@1mA 96W(Tc) TO-263-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

暂无价格 200 对比
R6007JNJGTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7A(Tc) N-Channel 7V@1mA 96W(Tc) TO-263-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

¥13.7029 

阶梯数 价格
20: ¥13.7029
50: ¥9.1704
100: ¥8.605
100 对比
R6007JNJGTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7A(Tc) N-Channel 7V@1mA 96W(Tc) TO-263-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

¥13.7029 

阶梯数 价格
20: ¥13.7029
50: ¥9.1704
100: ¥8.605
100 对比
IRF540NSPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 44mΩ@16A,10V N-Channel 100V 33A D2PAK

暂无价格 0 对比

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