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IRFS4310ZTRLPBF  与  STB120NF10T4  区别

型号 IRFS4310ZTRLPBF STB120NF10T4
唯样编号 A36-IRFS4310ZTRLPBF A32-STB120NF10T4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 250 W 120 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - TO-263-3 N-Channel 100 V 0.0105 Ohm Surface Mount STripFET™ II MosFet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@75A,10V 10.5m Ohms@60A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 250W(Tc) 312W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 127A 110A
系列 HEXFET® STripFET™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6860pF @ 50V 5200pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V 233nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6860pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
库存与单价
库存 97 2
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
9+ :  ¥6.138
1+ :  ¥23.8471
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4310ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥6.138 

阶梯数 价格
9: ¥6.138
97 当前型号
STH110N10F7-2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

H2PAK

¥6.2748 

阶梯数 价格
1: ¥6.2748
2: ¥6.0239
4: ¥5.7828
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PSMN7R0-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R0-100BS_TO-263-2

¥15.1058 

阶梯数 价格
10: ¥15.1058
100: ¥11.1895
400: ¥9.4826
800: ¥8.6996
145 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

¥23.8471 

阶梯数 价格
1: ¥23.8471
2 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
AUIRFS4310ZTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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